替代第3代DSA系列,V系列和HSA系列IPM
采用全栅型CSTBTTM硅片具有低损耗
600V: Vce(sat)(@Tj=125˚C)=2.55V ---> 1.75V
1200V: Vce(sat)(@Tj=125˚C)=2.6V ---> 1.85V
优化片上温度传感器
新的结线技术显著改善功率循环
兼容现有V系列小封装
SXR端子提供稳压电源供外部光耦使用(可选)
V1系列IPM使得变频器的功率损耗与传统产品相比,降低约20%
(PM300DV1A120与PM300DVA120相比较)
高端通用变频器、伺服电机驱动器等
120mm×70mm
600V V1系列IPM |
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产品型号 |
电气特性 |
保护功能 |
拓扑结构 |
封装 |
手册 |
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VCES |
IC |
VCE(sat) |
短路 |
过温 |
欠压 |
|
|
|
|
PM400DV1A060 |
600 |
400 |
1.75 |
100 |
135 |
12 |
半桥 |
L1 |
|
PM600DV1A060 |
600 |
600 |
1.75 |
100 |
135 |
12 |
半桥 |
L2 |
|
1200V V1系列IPM |
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PM200DV1A120 |
1200 |
200 |
1.75 |
100 |
135 |
12 |
半桥 |
L1 |
|
PM300DV1A120 |
1200 |
300 |
1.75 |
100 |
135 |
12 |
半桥 |
L2 |
|
PM450DV1A120 |
1200 |
450 |
1.75 |
100 |
135 |
12 |
半桥 |
L2 |
沪公网安备 31010702002036号