采用第6代IGBT硅片CSTBT技术,缩窄沟槽间距,改善了改善VCEsat– Eoff折衷曲线,损耗低
二极管采用第6代LPT硅片技术,正向导通压降低,改善VF和Err的折衷曲线
硅片结温最高可达175°C
硅片运行温度最高可达150°C
内部集成NTC测温电阻
全系列共享同一封装平台,并于竞争对手对应型号兼容
电流 | NX-M | NX-L | |||
CIB | 7单元 | 6单元 | 2单元 | 2单元 | |
50 | CM50RX-34S | CM50TX-34S | |||
75 | CM75RX-34S | CM75TX-34S | |||
100 | CM100TX-34S | ||||
150 | CM150DX-34S | ||||
200 | CM200DX-34S | ||||
300 | CM300DX-34S | ||||
400 | CM400DXL-34S | ||||
600 | CM600DXL-34S |
沪公网安备 31010702002036号