IGBT硅片的最优化,采用CSTBTTM硅片技术,实现开关速度控制的最优化
饱和压降低于业界同类产品,总体损耗低
续流二极管:超高速恢复特性,极低拖尾电流,大幅度减小了FWD的损耗
开关频率可达30kHz
低寄生电感的构造和封装
1)诸如逆变焊机、感应加热等高频功率电源场合
2)医疗设备电源,如CT & MRI
电路拓扑 | VCES(V) | Ic(A) | |||
100 | 150 | 200 | 300 | ||
2单元 | 1200 | CM100DC1 -24NFM |
CM150DC1 -24NFM |
CM200DC1 -24NFM |
CM300DC1 -24NFM |
沪公网安备 31010702002036号