HVIGBT性能特点
基板:有AlSiC和Cu两种额定电压:1700V至6500V
额定电流:200A至2400A
绝缘电压:4.0kVrms至10.2kVrms
N系列:CSTBTTM硅片工艺,进一步降低损耗,缩小模块体积
H系列:平板型IGBT硅片工艺,可靠性已得到业界公认
N系列B型:CSTBTTM硅片工艺,封装可与H系列兼容
R系列:额定电流提升到1500A;封装尺寸与 H 系列兼容;高短路鲁棒性设计;运行温度范围由-40~125°C 扩大到-50~ 150° C;最小存贮温度由-40℃扩展到-55℃。
续流二极管:采用软恢复特,保证良好的EMI性能。