采用低损耗CSTBTTM硅片技术
LPT结构用于1200V模块,更加适合于并联使用
额定电流定义比市场上同类产品高一个等级
外形尺寸与H系列IGBT完全兼容(仅限2单元模块),Rth(j-c)和Rth(c-f)的定义与传统的H系列相同
内置导热性能优异的氮化铝(AlN)绝缘基层,热阻小,有最有的ΔT(j-f)性能,比竞争对手高一个等级
通过调整底板和基板间焊锡的厚度大大改善了温度循环能力ΔTc
高功率循环能力
伺服驱动器,UPS,通用变频器,特种电源等
94mm × 48mm | 108mm × 62mm | 110mm × 80mm | 140mm × 130mm |
沪公网安备 31010702002036号