功率MOSFET器件的特点

功率MOSFET器件的特点

(1)具有高速开关特性，因为MOSFET是靠多数载流子导电的器件，所以不像BJT那样有少数载流子存储现象，因而没有存储时间，低压器件开关时间为l0ns数量级，高压器件100ns数量级。

(2)没有二次击穿现象，这点就比BJT好，并提高了元件的可靠性，而且安全工作区也较大。

(3)器件容易并联运行，因为多数载流子的迁移率具有负的温度系数，这点需要解释如下：
金属导电是靠电子导电的
J = qnv=qnμnE=δE (1-28)
式中 J——电密(A/m2);
     q——电荷（1. 6*10-19A • s)
     n——电子浓度（m-3）
     v——电荷沿电场方时的平均速度(m/s）;
     μn——电子迁移率（m/s*m/v)即单位电场强度作用下、电子漂移速度；
     E——电场强度(v/m)；
     δ——电导率（Ω• m)-1。
对于金属来讲，只有电子导电，温度变高时，浓度基本不变而电子迁移率外下降，所以电导率δ下降，电阻率增大。
半导体的导电是靠具有不同的迁移率的电子和空穴的两种载流子导电，其漂移电流密度为

     J=q（nμn+pμp)E =δE      (1-29)

  式中 p——空穴浓度(m-3)；
  μp——空穴迁移率单位电场强度作用下，空穴漂移的速度（m/s*m/v)。
半导体有两种载流子导电，温度升高时多数载流子的浓度n、p变化不大，而μn，μp下降较大。因此多数载流子电导率δ下降，电阻率升高。对于少数载流子温度升高时n、p增高的多，而μn，μp下降的少，所以电导率升高，而电阻率下降。MOSFET是靠多数载流子导电，电导率具有负温度系数，电阻率具有正温度系数，这对千元件并联运行非常有利，那个元件电流大、温度升高、电阻增大、可以抑制电流集中。

(4)利用电压控制开通与关断，驱动电流小，驱动功率小。栅极是以二氡化硅作绝缘介质，因而输入阻抗很高、电流小，栅极驱动线路也简单。

(5)导通电阻大、电压降大、导通损耗大是它的缺点.这是因为存在一个电阻率高的N-漂移区所致，如减薄这层厚度或者减少其电阻率，元件的耐压水平就提不高。

(6)存在寄生的晶体管效应，因此有产生二次击穿的潜在危险。通过把基极和发射极用金属膜短路的办法使晶体管失效，这样一来形成了 PN-N+的二极管与UDMOS反并联，也就消除了二次击穿的隐患，提高了器件耐压水平， 同时满足诸如逆变线路正好需要有一个二极管反并联的要求。