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功率场效应晶体眘(MOSFET) 的分类、结构和N型沟道增强型场效应管
功率场效应晶体眘(MOSFET) 的分类、结构和N型沟道增强型场效应管工作原理
功率MOSFET是由多数载流子参与导电的是属于单极性，通过电压控制的器件。
1.6.1分类、结构
MOSFET分为P沟道和N沟道型两类，每类又分为耗尽型和增强型，由图1-34所示的功率MOSFET的结构是N沟通、增强型器件。
图1-34a为DMOS（Double-diffused MOSFET)以本体和源极，通过二次扩散形成P型，N型半导体为特征。
功率场效应晶体眘(MOSFET) 的分类、结构和N型沟道增强型场效应管工作原理-图片1
（a） （b）
图1-34 MOSFET基本结构图
图1-34b为UMOS（U-grooved MOSFET)在U型沟内埋入多晶硅极和绝缘氧化膜为其特征。
DMOS的栅极呈平面结构，制造容易，所以这种结构是主要形式。UMOS容易减小导通电阻。最初MOS元件的源极S、漏极D栅极G布置在同一平面上，现在是把漏极放到另一平面上，电流变为垂直流向，器件由二维变为三维布局，采取多元胞井联增大了电流，其密度达每平方公分25万个元胞。元件中间加了高阻N-层，提高元件耐压水平，这些措施使MOSFET大功率化了。
1.6.2 N型沟道增强型场效应管工作原理
N沟道MOSFET漏极端接外加电压高电位，源极端接低电位。由图1-35a所示，UGS=0漏极D与P型衬底PN结处于反偏，漏源之间不导电。
功率场效应晶体眘(MOSFET) 的分类、结构和N型沟道增强型场效应管工作原理-图片2
图1-35 N沟道MOSFET工作原理图a
a）UGS =0 b)Ucs>0 c)UGS<0
由图1-35b所示，UGS>0在栅极G下的二氧化硅表面以及P型硅表面出现负电荷，此时漏一源之间导通，出现负电荷的N型沟道是与P型半导体的多数载流子空穴极性相反，所以叫反型层，即场效应结果由P型转到N型。由UGS=0加上一定栅压,即阈值电压UOS(IN)后才有电流的称增强型，另一种类型在时漏一源之间就存在导电沟道的称耗尽型.由图1-35c所示，UGS<0,电极下硅表面感应出空穴，ID=0。
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