静电嫌应晶闸管(SITH)

静电嫌应晶闸管(SITH)

    由图1-36所示，在门极和阴极之间不加反偏电压时，电源正极接阳极，负极接阴极，主电流经P+NN+就导通，当门极和阴极之间加上反偏电压，P层与N层之间形成空间电荷区，主电路就截止.从截止到阳极电流开始激增，此时的阳极电压叫正方向最大阻止电压,也叫耐压，耐压随门极反偏电压增大而增大。另外沟道的宽度越宽，关断所需的门极反偏电压越高。
 

静电嫌应晶闸管(SITH)-图片1
 

图1-36 S1TH的结构与符号
    从门极结构上分为平面型、切入型、埋入型和双极型。埋入型已开发出4000V/400A的元件。
SITH的特点是能做成大容量、高耐压，关断频率高达50kHz,关断时也有尾部电流，但比GTO小，关断时间短，损耗也小，吸收电路容量小，dμ/dt、 di/dt大，如300A元件可耐5000A/μs。

   静电感应晶体管(SIT)

    SIT结构与SITH结构差别在于少一层半导体，如图1-37所示，从SIT基本原理看当门极不加反偏电压时是导通的叫常开型SIT,作为开关应用希望有常关型 SIT。BSIT(Bipolar model Static In-duction Transistor)双极性静电感应晶体管就是属于常关型。在欧洲叫BMFET.
BSIT在结构上待点是高阻窄沟道，由图1-38所示沟道深L要比沟道宽a大，即L/a>1,这样即使在栅源开路时，栅源之间PN结形成的势垒区因沟道窄而重叠，沟道不导通，何况在截止时栅源之间还要加反偏电压使势垒进一步提高，器件为截止。反偏电压越高，阻断电压越高。当栅源内加正偏电压，从栅极注入大量空穴，从源极注入大量电子，双极性载流子参与导电，发生电导调制作用，使得导通电阻和导通压降下降，
    图1-39所示为一具有电流检出机能的BSIT。SIT2源极串接电阻RT和RS，Rt为温度补偿电阻，Rs产生信息电压Vs是与漏极电流成线性变化的。除BSIT外还开发出高频的SIT（HFSIT),具有1GHz10W和1.5GHz 5W的元件，今后还期待生产出微波带的大功率晶体管。
 

静电嫌应晶闸管(SITH)-图片2

图1-37 SIT的结构与符号

静电嫌应晶闸管(SITH)-图片3

图1-38 BSIT结构图
 

静电嫌应晶闸管(SITH)-图片4