功率晶体苷(BJT)在结温和开关断时公式

功率晶体苷(BJT)在结温和开关断时公式

    额定结温T1结温是与管损耗平均值，散热条件以及环境温度有关，
设Pr为管耗平均值(W);
TC为管壳温度(°C);
TS为散热片温度;
TA为环境温度(°C);
RJC为从管芯到管壳的热阻(°C/W)；
RCS为从管壳到散热片的热阻(°C/W）；
RSA为从散热片到周围环境的热阻(°C/W）。 
图1-28为晶体管热等效回路图。

功率晶体苷(BJT)在结温和开关断时公式-图片1
 
图1-28晶体管热等效ID路图

管壳湿度 TC=T1-PTRJC (1-24)
散热片温度 TS=TC—PTRCS (1-25)
环境温度 TA=TS-PTRSA (1-26)
可得 T1—TA = PT(RJC+RCS+RSA) (1-27)
在已知管功耗和热阻以及环境温度时可以算出T1和TC可以校验是否超过允许结温及管功耗。
5.开通时间ton和关断时间toff
ton=td+tr
式中td——延迟时间，基极向发射结充电使发射结由反偏到正偏所需时间；
   tr——上升时间，基区过剩载流子积储所需时间。
toff=ts+tf
式中  ts——存储时间，基区过剩存储电荷抽出所需时间；
    tf——下降时间，基区电荷继续被抽出，集电极电流开始下降到零.
    影响开通、关断时间的主要因素有：
减小发射结电容可以减小td增大基极正向触犮电流能减小td、tt
晶体管不使用在深饱和区，而是使甩在准饱和状态能减小ta另外增大基极反向触发电流的幅值能减小ts和tf
当集电极电流增加时除了td变化不大，tr、ts都增大。结温增高时除td减小之外，tr、ts都增大