BJT的二次击穿现象和安全工作区

BJT的二次击穿现象和安全工作区

   1.二次击穿现象 SB(Secondry Break down)出现一次击穿现象、IC急剧增加，在集电极电流IC增加到某一临界值,会发生集电极电压突然下降，集电极电流急剧增大，在保护措施不利情况下，很短时间内损坏叫二次击穿。二次击穿点，随IB不同而改变，当IB>0时出现的二次击穿现象称正向二次击穿，常发生在电流瞬时增大时(突然加较大输入信号或者负载短路）,当IB<0时出现的二次击穿称反向二次击穿，常发生在晶体管电压瞬时增大时（晶体管突然截止或负载突然开路)。
    发生二次击穿现象要具备电压高，电流大,持续时间相对长三个条件，由电场，热效应共同作用，引起芯片局部出现过热点，由于结间电阻具有负温度系数，过热点电流密度更加增大，温升越高，趣容易击穿，损坏。
 

BJT的二次击穿现象和安全工作区-图片1

图1-29晶体管二次击穿
       2.正向偏置安全工作区FBSOA从图1-30中可看出由于工作情况不同，其安全区是不同的，通直流电的情况下最为严童，Ic允许100A，其他对应不同脉宽(PW)的集电极电流其安全区也不同。安全区大体分为四个区，第一区受Ic大小限制，第二区由管子耗散功率服制，第三区是为二次击穿所限制，当晶体管关断时UCE上升，Ic应迅速下降，否则超出安全区，第四区由管子一次击穿电压决定。 —般把UCEO(sus)作为安全区电压界限。

BJT的二次击穿现象和安全工作区-图片2

BJT的二次击穿现象和安全工作区-图片3

图1-31 RS2245型晶体管的RBSOA

3.反向偏置安全工作区RBSOA由图1-31所示，只有IC小于25A时，UCE才能允许到600V,如果IC大于25A时UCE相应要减小。晶体管小于定额使用，对提高装置的可靠性和效率是有好处的。例如晶体管BUV50工作在标称电流的一半时，UCE饱和电压减少20%〜30%.
基极驱动报耗减少75%，开关损耗也减少。