功率晶体苷(BJT)的概念定义

功率晶体苷(BJT)的概念定义

    功率晶体苷(BJT)也叫巨型晶体管(GTR—Giant Transistor)，它是属于双极性半导体器件，即二种极性载流子，空穴和电子参与导电的器件，有两个PN结，分为PNP型和NPN型，普通晶体管作为电流放大器件使用，但大功率晶体管是使用在饱和区域作为电力开关用。
目前国际水平已做到1200V、800A、开关时间5μs、开关频率达数百千赫兹。为减少基极驱动功率接成达林顿电路，在不断地提高电压水平，增大电流，减小开关时间，并装配成模块化，提高其可靠性和使用更方便。

BJT的主要参数

1.一次击穿电压(Break down voltages〉是指发射极与集电极之间反向击穿电压。图1-26为4种基极接线方式，其中将基射接成反向偏置时的一次击穿电压用UCEV(有的文献资料用UCEX表示，是四种接线方式中一次击穿电压最高的，所以采用这种方式较多，可提高管子截止时的耐压能力。

2.电流最大定额
         Ie——集电极持续电流（直流）；
        Icm——集电极峰值电流(重复)； 
 

功率晶体苷(BJT)的概念定义-图片1
 

图1-26 NPN晶体管一次击穿特性

功率晶体苷(BJT)的概念定义-图片2
 
图 1-27 TC与二次击穿电流、管耗散功率定额关系曲线

Icms——集电极峰值电流(不重复）；
IB——基极持续电流(直流）；
1BM——基极峰值电流。

3.耗散功率PD(—般规定在管壳温度Tc = 25°C时）如果Tc比25°C高，二次击穿电流和管子耗散功率定额要相应减小，图1-27给出Tc与二次击穿电流和管子耗散功率定额减小系数关系。