三菱CM100DY-24A

CM100DY-24A是三菱第五代100A/1200V IGBT模块，IGBT是一种新型的复合功率器件。它集功率晶体管GTR和功率MOSFET的优点于一体。CM100DY-24A具有电压型控制、输入阻抗大、驱动功率小、控制电路简单、开关损耗小、工作频率高等优点。目前已广泛应用于交流变频器、井关电源、伺服系统等领域。

  

CM100DY-24A的主要特性与参数

1 转移特性

CM100DY-24A的转移特性是指集电极电流Ic与栅射电压Uge之间的关系曲线，如下图所示，与功率MOSFET的转移特性相似。图中Uge(th)为开启电压，当栅射电压Uge小于开启电压Uge(th)时，IGBT处于截止状态。当栅射电压Uge大于开启电压Uge(th)时，IGBT导通且导通后的大部分范围内Ic与Uge呈线性关系。

 

CM100DY-24A
 

2．CM100DY-24A的输出特性

CM100DY-24A的输出特性也称为伏安特性，是以栅射电压Uge为参变量的IGBT正向输出特性，即集电极电流Ic与集射电压Uce的关系。如下图所示为IGBT的输出特性曲线。分为四个区：饱和区、放大区、击穿区和截止区。IGBT作为开关器件使用时工作于饱和区和截止区，在放大区内Ic与Uge几乎呈线性关系而与Uce无关，故又称为线性区。IGBT的反向阻断电压Urm只能达到十几伏，使用时应注意。

CM100DY-24A的主要性能及特点如下：

• 最优的ΔT(j-f)性能,比竞争对手高一个等级

• Rth(j-c)和Rth(c-f)的定义与传统的H系列相同

• 封装与H系列兼容

• ΔT(j-f)性能优于欧洲的同类沟槽型IGBT模块

• 采用欧式热阻定义Rth(j-c)和Rth(c-f)

• 成本优化的封装

1. 采用最新的CSTBT 硅片技术:

• 低饱和压降Vce(sat), 低开关损耗Esw(on), Esw(off)

• 高短路耐受能力

• 减小栅极电容:栅极驱动功率近似于平面型IGBTs

2. 低阻抗封装(A系列1单元除外)

3. 通过采用氮化铝AlN绝缘层实现优良的热阻特性

4. 通过调整底板与氮化铝绝缘层之间的焊接层厚度来改善温度循环能力Δ Tc (焊接层疲劳)

5. 采用新的导线焊接工艺大大提高功率循环能力ΔTj (导线连接疲劳)