三菱电机超小型DIPIPM内含MOSFET的发售通知

    三菱电机超小型DIPIPM内含MOSFET的发售通知

      三菱电机株式会社定于2013年3月1日开始发售使用MOSFET※1作为压注模封装技术和开关器件的“超小型DIPIPM※3”新产品。此产品将主要用于变频冰箱等应用，具有低电流状态下运行效率高的特点。 
※1 Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor：MOSFET金属氧化膜半导体场效应晶体管。
※2 在密封模具中注入经加热加压的树脂后加压成形的方法。可靠性和量产性俱佳。
※3 Dual-In-Line Package Intelligent Power Module：双列直插式智能功率模块

 搭载MOSFET的超小型DIPIPM 

新产品的特点
1．高散热结构确保高可靠性
   ♦通过采用低损耗开关元件和高散热绝缘膜，抑制结温上升

2．有助于小容量逆变器降低损耗
   ♦开关元件采用MOSFET，低电流区的导通电压与原有产品相比降低约60%※4 
   ♦通过优化MOSFET制造工艺，降低恢复损耗 
   ♦通过优化控制IC，降低控制IC损耗 
※4 在0.5A，25℃的状态下，与本公司超小型DIPIPM“PS219C3”相比

3．有助于最终产品的低成本和小型化 
   ♦高散热结构，使得最终产品的散热设计变得容易 
   ♦内置带限流电阻的BSD※5，可减少外围元件的数量 
※5 Bootstrap Diode：自举电路用高压二极管

发售概要

 

销售目标

    本公司于1997年将压注模结构的智能功率半导体模块“DIPIPM”产品化。该产品内置开关元件及进行驱动与保护的控制IC，为逆变器系统小型化及节能化作出了贡献。 
近年来，在变频冰箱等家电产品上，年耗电量已成为产品的节能指标。除了在额定工况下减少损耗，还要求减少在实际使用范围中占较高比例的低电流区的损耗。
本公司此次计划发售的超小型DIPIPM，采用了恢复损耗均较小的MOSFET和低电流区导通电压, 高散热结构和低损耗控制IC，此举将有助于降低变频冰箱等小容量逆变器的年耗电量以及实现最终产品的小型化和低成本。

主要规格