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节能新选择——三菱电机功率半导体“SiC-SBD”震撼发售

 节能新选择——三菱电机功率半导体“SiC-SBD”震撼发售

上海合美电子科技有限公司

 

2017-05-26 三菱电机半导体
SiC※1,作为一种典型的宽禁带半导体,具有击穿电场强度高、载流子饱和漂移速度高、热导率高、热稳定性好等特点。自2010年起,三菱电机陆续推出了搭载SiC-SBD、SiC-MOSFET※5的SiC功率半导体模块,产品广泛应用于空调以及工业机械、铁路车辆的逆变器系统等,为降低家电及工业机械的耗电量,缩小其体积和重量做出了不小的贡献。近年来,出于节能环保的考虑,人们对能够大幅降低电力损耗或利用SiC实现高速开关的功率半导体的期待值日渐高涨。
    基于这一背景,自3月1日起,三菱电机陆续发售了采用了SiC的功率半导体“SiC-SBD※2”。搭载在电源系统中的“SiC-SBD”,将有效降低用于空调及太阳能发电中的家电及工业用电源系统的耗电量,保障绿色环保的需求。此外,本产品的开发部分还得到了日本“New Energy and Industrial TechnologyDevelopment Organization (NEDO)”的支持。
  ※1  Silicon Carbide:碳化硅
※2  Schottky Barrier Diode:肖特基势垒二极管
※5  Metal OxideSemiconductor Field Effect Transistor:金属氧化物半导体场效应晶体管
 
新产品特点
1.通过采用SiC,为降低耗电量、缩小体积做出贡献
通过使用SiC大幅降低开关损耗,降低约21%的电力损耗※3
实现高速开关,为缩小电抗器等配套零部件的体积做出贡献
 
※3 与内置PFC电路的三菱电机产品功率半导体模块“DIPPFCTM”上搭载的Si(硅)二极管相比
 
2.通过采用JBS结构,提高可靠性
采用pn结与肖特基结相结合的JBS※4结构
通过JBS结构提高浪涌电流耐量,从而提高可靠性
※4   Junction Barrier Schottky
 
新产品发售概要
 
新产品主要规格
 
 
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