钳位式RCD吸收电路用于限制的关断过电压分析三

钳位式RCD吸收电路用于限制的关断过电压分析三

     这种钳位式缓冲吸收电路的电容为无感电容，且电容量可取得大一些。电容量越大，吸收过的效果越明显。由于电容CS上过充的能量大部分被送回电源。所以RS上的功耗是不大的，可选用小容量的电阻。这不但减小了发热，提高了效率，而且可使吸收电路的体积缩小，通常Cs为几微法，RS为几十欧姆。二极管VDS应选用快恢复二极管。

      图4-37a是这种钳位式RCD吸收电路在一组桥臂上的应用例子。VT1的吸收电路由R1C1VD1组成，VT2的吸收电路由R2C2VD2组成，VT1 、VT2轮流导通，且是互锁的，吸收过电压的原理与斩波器的例子相同，这里不再重复。

图4-37用于IGBT桥臂的吸收电路
a)钳位式吸收电路用一挢臂的两只器件      b)RCD吸收电路跨接于(模块)器件的正负极之间     c)电容C跨接于( 模块)器件的正负极之间

      由图4-37b所示，将RCD吸收电路跨接于IGBT模块的正、负电源端之间来抑制过电压也是常用的一种方法，当上、下桥臂的任意一只管子由导通变为关断时，（由于有互锁，所以互馈期间两只管子都为关断状态）线路杂散电感的能量经二极管VD充向电容C，模块正、负极之间的电压被箝在电容电压上来抑制过电压。

      由图4-37C所示，当器件容量较小时，可在桥臂的正、负极之间跨接无感电容C来吸收过电压。
器件容量越大，电流越大，相同杂散电感下产生的过电压越高，所以过压吸收显得越重要。