IGBT驱动电路实例二

IGBT驱动电路实例二

      IGBT驱动电路实例二图4-28又为又一种用脉冲变压器隔离的驱动电路，这种驱动电路适用于驱动脉冲占空比小于50°的高频场合。
      其工作原理为正向驱动信号使VT1导通，电源电压+E作用于脉冲变压器一次侧，二次电压经二极管VD2、VD3和门极电阻RG后作用于IGBT的GE之间，使IGBT导通。晶体管VT2由于基极反偏而截止。

IGBT驱动电路实例二-图片1

图4-29 IGBT驱动电路实例三

     当驱动信号为零时，VT1截止，一次励磁电流VD1和VD2迅速衰减，使在脉冲间隙期间脉冲变压器的磁通回零。变压器二次侧的反向电压经R2加到二极管VD2上。 IGBT门极结电容上的电荷经RG和VT2放掉，R2为VT2的偏流电阻。
这种驱动电路的特点是不用独立的驱动电源，驱动电路结构简单，脉宽变化时，驱动电压幅值不变。适用于各种容量的IGBT和功率MOSFET器件的驱动。

       这种驱动电路的缺点是截止时没有门极反向电压，抗干扰能力不强。
       IGBT驱动电路实例三   图4-29为采用光耦隔离的IGBT驱动电路，驱动正电源电压为VCC，负电源电压为这种驱动电路适用于任意脉宽的情况，允其适用于中大功率器件的驱动。

       其工作原理如下；正向驱动信号使光耦VP导通，这样晶体管VT1、VT2导通，VT1导通使VT3导通，VT2导通使VT4截止.正电压VCC经VT3与RG加到IGBT的GE之间，使IGBT导通，通常VCC为+ 1SV，使IGBT处于饱和导通状态。

       无驱动信号输入光耦VP时，光耦内的晶体管不通,VT1、VT2均截止，VT1截止导致VT3截止，VT2截止导致VT4导通，这样负的电源电压经VT4和RG加到IGBT的GE之间，使IGBT截止，一般VEE取-5V~10V.由于IGBT截止时，门极处于反偏状态.所以具有较强的抗干扰能力。