对基极驱动的基本要求分析三

对基极驱动的基本要求分析三

    在管子关断时，驱动电路必须提供足够大的反向基极电流使管子迅速关断，且减小关断损耗。应注意的是，在关断高压晶体管时，反向基极电流的变化率不宜太大，否则会产生夹紧效应，即电派过分集中于局部区域而使管子损坏。因此，有必要对反向基极电流的变化率迸行限制，特别是当管子处于深度饱和时就更有必要了。可在反向基极回路串接电感以限制dIB/dt,对于有抗饱和电路的管子，关断时电流集中的问题不严重，通常引线的电感就够了。

    在逆变器电路中，各路基极躯动之间要隔离，每一路用独立的驱动电源，共射极连接的管子可共用一个驱动电源，另外每路的驱动与控制电路之间也要隔离。

     退饱和保护。当晶体管间时承受高电压和大电流超过一定时间时，就会发生二次击穿现象。同时承受高电压和大电流，首先引起芯片局部发热，进而导致热点处电流密度增加，反过来又加剧了局部发热，最终导致晶体管彻底裉坏。工作于开关状态的晶体管由于各神故障而导致退饱和时，就极易发生二次击穿。所以带有退饱和保护的驱动电路对大功率晶体管来说是很有必要的。退饱和保护的原理如下：一般用检测管子的集射电压UCE来判别管子工作在饱和区还是放大区.在有驱动信号的期间，检测UCE，若发生退饱和，则UCE急剧上升.将UCE电压信号与某个基准值进行比较，将比较器的输出信号作为故障信号锁存起来，此故障信号分两路输出，一路就地封锁驱动信号，另一路经输出光耦送到控制器，封锁控制器的全部输出信号，如图4-24所示。在无驱动信号期间，不检测UCE，另外对大功率晶体管VT开通期间的检测也应屏蔽掉。因为当器件开通时，UCE从截止到饱和要延迟基极信号一个开通时间。

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对基极驱动的基本要求分析三-图片1

图4-23抗饱和自适应驱动电路

对基极驱动的基本要求分析三-图片2
 

图4-24 一种退饱和保护电路框图  图4-25大功率晶体管驱动电路实例一