GTO晶闸管的门极驱动电路二个部分

GTO晶闸管的门极驱动电路二个部分

     门极关断电路     由GTO晶闸管的门极关断特性知道，在门极关断电流出现后，经过储存时间ta后，阳极电流开始下降、阳极电压开始上升。在下降时间t1内，阳极电流急剧下降，且门极和阴极间的阻抗迅速变大，门极关断电路的电压值要达到能充分供给为了切断峰值可关断电流所需要的门极关断电流，一般取20〜40V为宜。此值应保持到尾部时间的初期为止，实际上此反向门极电压巳大于反向门极峰值电压，达到雪崩区域的电压。门极反向电压和反向电流的上限由门极反向峰值损耗决定。对门极关断电流上升率diRC/dt也有一定要求，一般应大于一10A/μs，关断电流变化率对关断时间和关断增益都有影响，变化率变小，储存时间ta增加，关断增益也增加。GTO晶闸管的关断增益较小，一般门极关断电流的峰值可达前阳极电流的1/4〜1/3。关断脉冲的宽度应大于关断时间ts+ tl与尾部时间之和。通常为120μs 左右。

    门极反偏电路普通晶闸管采用发射极短路结构，以旁路阳极电压上升率引起的位移电流，提高承受断态dμ/dt的能力。对于GTO晶闸管来说，需在门极和阴极间加反向电压以关断阳极电流，所以一般不采用发射极短路结构，因此GTO晶闸管承受的能力较普通晶闸管差，为了防止由于dμ/dt过大引起误触发，要设置反偏电路。加上反偏电压，会使维持电流增加，在驱动电路中，这三部分电路不应相互干扰。
 

 

图4-18 GT0晶闸管驱动电路实例一