电力电子器件的驱动与缓冲吸收电路概述

电力电子器件的驱动与缓冲吸收电路概述

       三端功率开关器件的导通与否是通过门极控制的。不同的电力电子器件对门极驱动信号有不同的要求。通常，普通晶闸管要求门极胜发信号要有一定的幅度、宽度和陡度。大功率晶体管的基极驱动要求提供足够的基极驱动电流，导通时能保证器件工作于饱和状态。关断时要给基极施加一定的反向电压，以提高关断速度和提高承受集射极间电座的能力。GTO晶闸管对门极驱动信号提出了更严格的要求，GTO晶闸管与普通晶闸管一祥靠合适的门极触发脉冲电流使其导通，因GTO晶闸管的维持电流较普通晶闸管的大，在负载电流变化较大的情况下，需要在导通期间连续地供给门极电流。GTO晶闸管的门极关断电路应能供给为了切断值可关断电流所需要的门极关断电流，在关断期间要设置反偏电压以提高抗干扰能力。IG-BT和功率MOSFET的驱动是最容易的，由于这两种功率器件的门极与阴极之间是绝缘的，所以是电压控制器件，驱动功率小，其门极可用一个电容与一个电阻的串联来等效。所以这两种器件的门极驱动电路应能提供容性负载下的脉冲电流，频率愈高，容量愈大，需要的驱动电流愈大。器件关断时，门极一般需要施加一个合适的反向电压，以提高关断速度和增强抗干扰能力。