HP-IC混合功率集成电路以电力电子器件发展动向

 HP-IC混合功率集成电路以电力电子器件发展动向

     HPIC是在绝缘基板上，通过厚膜技术或薄膜技术形成导体和电阻，在基板上把包括有大规模集成电路的半导体元件，电容、电感及其他电子部件连成一体的集成电路。其持点是：

1)一些高精度、高频、大功率电路，在制做MPIC有因难时，HPIC可起到很大作用。
2)与MPIC相比制做自由度大、开发期短、开发费用低.
3)品种多，可以小批量生产，容易定做。
4)从半导体高集成化，品种多、耐高压、功率大，尽可能做成单片集成电路.从LSI到VLSI、 ULSI发展过程中HPIC都扮演着重要角色。

     HPIC大容量化，1200V 800A已进入实用化，功率模块从初期的BJT模块发展为MOSFET、IGBT、SIT、 BiMOS等品种。不仅有功率模块而且包括有控制、检测、保护部分，称作SPM(Smart Power Module),也称为 IPM(Intelligent Power Module)，其中 IGBT 的 1PM 值得加以重视。
图1-52是IPM 一至三代的发展框图。
 

HP-IC混合功率集成电路以电力电子器件发展动向-图片
 

图1-52 IPM—至三代的发展框图 .

电力电子器件发展动向

(1)将要取代BJT，这个趋向是明朗的。
(2)GTO是目前6000V,6000A级唯一具有自关断能力的器件，但是存在缺点和问題，总希望能有合适器件取代，目前MCT、SITH尚不成熟，顸计本世纪末有可能开发出合适的器件取代GTO。
(3)MOS复合元器件发展很快、预计还有很大开发潜力。
(4)智能化功率集成电路还将会有大发展。具有主电路、控制电路、保护、检测高性能的功率集成电路。做出高可靠、体积小、高效节能、价格便宜的装置、高性能的元器件的设计、工艺、制造方面都要求把微电子学和电力电子学很好结合起来