MOS控制晶闸管(MCT)等相关介绍

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1. MSIT(Mos controlled SITH) MOS与SITH复合器件，能集中两元件优点，驱动功率小，而导通电压低，正常截止形元件已做1200V/200A级模块，如图1-45a所示为MSIT断面图b为等效电路图。

2. MCT(Mos Controlled GTO) MOS和GTO复合器件，在导通时门极反偏，P沟MOS起作用，截止时门极正偏N,沟M0S起作用。MCT结构原理图，如图1-46所示MCT具有电流密度高的特点，200°C时达500A/cm2，小元件达6kA/cm2导通电压低、损耗低、耐di/dt及dμ/dt能力强，dμ/dt达8kV/μs，已做成5kV、2kA高耐压、大电流的元件，据认为MCT很有希望替代GTO晶闸管。

3- EST（Emitter Switched Thyristor)还有与 EST 同样结构元件叫 ITT(IGBT Triggered Thyristor) 。
图1-48为EST结构剖面图，图1-48为EST输出特性。
4.DMT(Depletion Mode Thyristor) DMT的结构和等效电路如图1-49所示，其原理是一个具有沟槽式结构的MOS控制极的晶闸管势垒变化，进行导通、关断。关断电流在电阻性负载达2000A/cm2在高温200°C关断电流达500A/cm2比MCT大一个数量级。
 

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图1-45 MSIT结构原理图
a)剖面图  b)等效电路

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图1-49 DMT结构与等效电路        图1-50 MAGT 结构

5. MAGT(Mos Assisted Gate triggered Thyristor) MAGT 结构如图 1-50 所示，这种元件具有普通驱动用基极和MOS控制，有两个控制极。MOS控制开通.普通基极像GTO门极控制关断。2500V关断di/dt可达1000kA/μs*cm2。使用这种元件可取代激光设备中产生大电流脉冲的闸流管。