晶闸管GTO所取得的很大进步

晶闸管GTO所取得的很大进步

   GTO晶闸管作为半导体器件第二代产品，具有自己关断能力，特别是在600V级大容量，具有自已关断能力器件，目前是唯一的。近年来在结构、工艺上不断的改进，性能上提高，开发出很高水平的器件。

例如
(1)双门极结构GTO晶闸管，图1-23a所示为双门极结构GTO晶闸管。这种器件具有关断增益高的优点，如图1-23c所示，是普通
GTO晶闸管关断损耗的1/10。
(2)6kV、6kA的GTO晶闸管（FG6000AU-120D)开发出来，它是目前最大功率级的GTO晶闸管，吸收电路电容6μF能保持关断6000A的能力，这样大的迸展是因为采取了以下几项措施：
1)采用6英寸的大口径硅晶片；
2)阴极宽度减小，极板图形微细化；
3)硅片和热缓冲板（钼板)采用压接，非合金化、达到减少热阻，组装压力均匀，电流分布均匀，提高了抗电流冲击能力；
4)采用质子照射以及照射能量的控制，达到在晶片厚度方向少子寿命的最佳控制，一方面按制导通电压UTM的同时使尾部电流减少。

图1-24为GTO晶闸管的开通波形，其关断波形图，如图1-25所示。

晶闸管GTO所取得的很大进步-图片1
 

图1-24 为开通波形图              图1-25为关断波形图

    开通时UD=3200V、门极电流90A、di/dt=500A/μS, IT = 6000A、开通时间显示良好开通特性。关断时ITGQ和吸收电路CS有关，4000A需要3μF，5000A需4μF, 6000A需6μF,使Cs域少50% .与同一耐压水平的传统结构的GTO相比导通损耗减少60% ,关断损耗减少80%,在流通率为30% ，开关频率500HZ时开关总损耗约减少50%。