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晶闸管的伏安特性和首要四大主要参数
晶闸管的伏安特性和首要四大主要参数
图1-10为晶问管伏安特性，正向特性位于第一象限，反向特性位于第Ⅱ象限。与二极管反向特性相似，反向电压在一定限度内漏电流极小，呈阻断状态，增加到一定数值后，电流突增，再提高电压，晶闸管击穿，这个电压叫做击穿电压VBD（break down）。
晶闸管的伏安特性和首要四大主要参数
图1-10硅晶管伏安特性参数示意图
对于晶闸管正向特性，正向电压在一定限度内，又没有触发脉冲时晶闸管呈阻断状态，达到一定电压，晶闸管就自己导通，这个正向电压称为转折电压UBO(break over),导通后就与二极管的正向特性一样，但在正常使用时不允许把正向电压加到转折值，而是靠在门极G加触发电流IG，IG越大晶闸管导通的转折电压越低。
晶闸管的主要参数
(1)断态重复峰值电压UDRM门极开路，重复率为每秒50次，每次持续时间不大干10ms的断态最大脉冲电压，UDRM= 90%UDSM,UDSM 为断态不重复峰值电压。UDSM应比UBO,小，留的裕量由生产厂定。
(2)反向重复峰值电压URRM其定义同UDRMURRM= 90%URSM为反向不重复峰值电压。
(3)渐定电压选中较小的值作为额定电压，选用时额定电压应为正常工作峰值电压的2〜3倍，应承受经常出规的操作过电压。
(4)通态平均电流简写为IT（AV）工频正弦半波的全导通电流在一个整周期内的平均值。把在环境温度为+40°C稳定结温不超过额定值，所允许的最大平均电流作为该器件的额定电流。用最大通态平均电流标定晶闸管的额定电流是由于整流输出电流需用平均电流去衡量，但是器件的结温是由有效值决定的。对于同一个有效值，不同的电流波形，它的平均值不一样，因此选用一个晶闸管，要根据使用的电流波形计算出允许使用的电流平均值。
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