电力半导体器件种类

电力半导体器件种类

1.1.1 第一代产品
主要特征是没有自关断能力的器件。
（1） 二极管：单方向导通，不能控制。
（2） 晶闸管：普通晶闸管、快速晶闸管、逆导晶闸管、光触发晶闸管、门极辅助关断晶闸管。其共同特点是单方向导通能控，关断不能控。
（3） 双向晶闸管：双方向导通能控，关断不能控。
1.1.2 第二代产品
主要特征是有自关断能力的器件。
（1） 门极关断（GTO——Gate Turn off）晶闸管：单方向的导通和关断能控。
（2） 大功率晶体管（BJT①——Bipolar Junction Transistor或GTR——Giant Transistor）。
（3） 功率场效应晶体管（P.MOSFET——Power Metal Oxide Semiconductor type Field Effect Transistor）。
（4） 静电感应晶闸管（SITH——Static Induction Thyristor）静电感应晶体管（SIT——static Induction Transister）。
1.1.3 第三代产品
主要是一些性能优异的复合器件及功率集成电路。
（1） 绝缘栅双极性晶体管（IGBT——Insulated Gate Bipoler Transistor）。
（2） MOS控制晶闸管（MCT——Mos Controlled Thyristor）。
（3） 功率集成电路（PIC——Power Integrated Circuit）。